全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于宣布双方已达成终协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞萨CEO柴田英利

作为碳中和的基石，对高效电力系统的需求正在不断增加。为了应对这一趋势，相关产业正在向以碳化硅（SiC）和GaN为代表的宽禁带（WBG）材料过渡。这些先进材料比传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围。在此势头下，瑞萨已宣布建立一条内部SiC生产线，并签署了为期10年的SiC晶圆供应协议。

瑞萨现目标是利用Transphorm在GaN方面的知识进一步扩展其WBG产品阵容。GaN是一种新兴材料，可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高效、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。也因此，根据行业研究，GaN的需求预计每年将增长50%以上。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

瑞萨首席执行官柴田英利表示：“Transphorm是一家由来自加州大学圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、经验丰富的团队所领导的公司。Transphorm GaN技术的加入增强了我们在IGBT和SiC领域的发展势头。它将推动和扩大我们的关键增长支柱之一的功率产品阵容，使我们的客户能够选择佳的电源解决方案。”

Transphorm联合创始人、总裁兼首席执行官Primit Parikh博士以及Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra博士表示：“结合瑞萨全球布局、广泛的解决方案和客户关系，我们很高兴能为WBG材料的行业广泛采用铺平道路，为其显着增长奠定基础。这项交易还将使我们能够为客户提供进一步扩展服务，并为我们的股东带来可观的即时现金价值。此外，它将为我们杰出的团队提供一个强大的平台，以进一步发展Transphorm卓越的GaN技术和产品。”

交易明细

Transphorm董事会已一致批准终协议，并建议Transphorm股东通过该终交易并批准合并。在签署终协议的同时，持有Transphorm约38.6%已发行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已与瑞萨签订惯例投票协议以支持本次交易。

该交易预计将于2024年下半年完成，但需获得Transphorm股东的批准、监管部门的许可和其他惯例成交条件的满足。